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Lattice strain analysis of VPE-Grown ZnS epitaxial layers on (001)GaAs by RBS-channeling and high resolution XRD measurements 1-gen-1996 G., Leo; T., Peluso; Lovergine, Nicola; Mancini, Anna Maria; Vasanelli, Lorenzo; C., Giannini; L., Tapfer; F., Romanato; A. V., Drigo
MOVPE growth and optical characterization of ZnS, ZnSe and ZnS/ZnSe multiple quantum wells 1-gen-1996 Prete, Paola; Lovergine, Nicola; S., Oktik; M., Longo; R., Cingolani; Mancini, Anna Maria; Vasanelli, Lorenzo
Influence of a ZnTe buffer layer on the structural quality of CdTe epilayers grown on (100)GaAs by metalorganic vapor phase epitaxy 1-gen-1996 G., Leo; M., Longo; Lovergine, Nicola; Mancini, Anna Maria; Vasanelli, Lorenzo; Drigo, Antonio; F., Romanato; T., Peluso; L., Tapfer
Optical Properties of MOVPE-grown ZnS epilayers on (100) GaAs) 1-gen-1997 Vasanelli, Lorenzo
Field assisted capture of electrons in seminsulating GaAs 1-gen-1997 A., Cola; L., Reggiani; Vasanelli, Lorenzo
An extended drift diffusion model of seminsulating n-GaAs Schottky barrier diodes 1-gen-1997 A., Cola; L., Reggiani; Vasanelli, Lorenzo
Mechanisms of Breakdown in Semi-Insulating GaAs Detectors Under High Reverse Bias Conditions Studied by EBIC and OBIC 1-gen-1997 Mazzer, M.; Cola, A.; Vasanelli, Lorenzo; DE VITTORIO, M.; Pennetta, Cecilia; Reggiani, Lino
CO sensing properties of SnO2 thin films prepared by the sol-gel process 1-gen-1997 Rella, Roberto; Serra, Antonio; Siciliano, Pietro; Vasanelli, Lorenzo; G., De; Licciulli, ANTONIO ALESSANDRO
Mechanisms of breakdown in semi-insulating GaAs detectors under high reverse bias conditions studied by EBIC and OBIC 1-gen-1997 M., Mazzer; A., Cola; Vasanelli, Lorenzo; DE VITTORIO, Massimo; Pennetta, Cecilia; L., Reggiani
Free-standing ZnSe/ZnS quantum wires with high luminescence efficiency 1-gen-1997 Rinaldi, Rosaria; C., Turco; Lovergine, Nicola; Cingolani, Roberto; Vasanelli, Lorenzo; E., Di Fabrizio; L., Grella; M., Gentili; L., De Caro; L., Tapfer
"CO sensing properties of SnO2 thin films prepared by the sol-gel process" 1-gen-1997 Rella, R.; Serra, Antonio; Siciliano, P.; Vasanelli, Lorenzo; De, G.; Licciulli, ANTONIO ALESSANDRO
"Tin oxide based gas sensors prepared by the sol-gel process" 1-gen-1997 Rella, R.; Serra, Antonio; Siciliano, P.; Vasanelli, Lorenzo; De, G.; Licciulli, ANTONIO ALESSANDRO; Quirini, A.
Tin oxide-based gas sensors prepared by the sol-gel process 1-gen-1997 Rella, Roberto; A., Serra; Siciliano, Pietro; Vasanelli, Lorenzo; G., De; Licciulli, ANTONIO ALESSANDRO; A., Quirini
Optical properties of MOVPE-grown ZnS epilayers on (100)GaAs 1-gen-1997 M., Fernández; Prete, Paola; Lovergine, Nicola; Mancini, Anna Maria; Cingolani, Roberto; Vasanelli, Lorenzo; Perrone, Maria Rita
On the characterisation and gas sensing properties of Cu(II) tetra(alkylamino carbonyl) phthalocyanine LB films 1-gen-1998 S., Capone; R., Rella; P., Siciliano; Vasanelli, Lorenzo; Valli, Ludovico; Troisi, Luigino
Microphotoluminescence spectroscopy of vertically stacked InxGa1-xAs/GaAs quantum wires 1-gen-1998 Cingolani, Roberto; F., Sogawa; Y., Arakawa; Rinaldi, Rosaria; DE VITTORIO, Massimo; A., Passaseo; A., Taurino; M., Catalano; Vasanelli, Lorenzo
Physical properties of osmium doped indium tin oxide films 1-gen-1998 Vasanelli, Lorenzo
Effects of substrate temperature on the damage threshold of SiO2 films 1-gen-1998 M., Alvisi; DE NUNZIO, Giorgio; M. C., Ferrara; Perrone, Maria Rita; A., Rizzo; S., Scaglione; Vasanelli, Lorenzo
Monte carlo simulation of th einduced signal in semi-insulating GaAs detectors 1-gen-1998 Vasanelli, Lorenzo; L., Reggiani; L., Vasanelli
ZnSe/ZnS single quantum wire heterostructures emitting in the near-ultraviolet region 1-gen-1998 Rinaldi, Rosaria; C., Turco; Lovergine, Nicola; Cingolani, Roberto; Vasanelli, Lorenzo; E., Di Fabrizio; L., Grella; M., Gentili
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