Direct Synthesis of TiSi2 By A Laser Thermal Self-Aligned Process

Craciun, V.; Craciun, D.; Chitica, N.; Mihailescu, I. N.; Nistor, L. C.; Popa, A. L.; Teodorescu, V. S.; Ursu, I.; Leggieri, Gilberto; Luches, A.; Martino, Maurizio; Kuzmichev, A. V.; Konov, V. I.; Prokhorov, A. M.

doi:10.1088/0022-3727/25/10/016

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lavoro con un premio Nobel: A. M. PROKHOROV The synthesis of stable and adherent TiSi2 layers by one-step laser irradiation of Ti deposited on Si wafers is reported. A new thermal self-aligned effect is observed. By multipulse excimer laser irradiation, a regime was obtained whereby the Ti covering the Si substrate was completely reacted while the Ti covering the SiO2 layer was completely expelled by vaporization.

Titolo:	Direct Synthesis of TiSi2 By A Laser Thermal Self-Aligned Process
Autori:	V. CRACIUN D. CRACIUN N. CHITICA I. N. MIHAILESCU L. C. NISTOR A.L. POPA V. S. TEODORESCU I. URSU LEGGIERI, Gilberto A. LUCHES MARTINO, Maurizio A. V. KUZMICHEV V. I. KONOV A. M. PROKHOROV mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Data di pubblicazione:	1992
Rivista:	JOURNAL OF PHYSICS D. APPLIED PHYSICS
Abstract:	lavoro con un premio Nobel: A. M. PROKHOROV The synthesis of stable and adherent TiSi2 layers by one-step laser irradiation of Ti deposited on Si wafers is reported. A new thermal self-aligned effect is observed. By multipulse excimer laser irradiation, a regime was obtained whereby the Ti covering the Si substrate was completely reacted while the Ti covering the SiO2 layer was completely expelled by vaporization.
Handle:	http://hdl.handle.net/11587/108557
Appare nelle tipologie:	Articolo pubblicato su Rivista

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