Direct Oxinitride Synthesis By Multipulse Excimer Laser Irradiation Of Silicon Wafer In  Nitrogen Containing Ambient Environment

Craciun, V.; Mihailescu, I. N.; Oncioiu, G. H.; Luches, A.; Martino, Maurizio; Nassisi, Vincenzo; Radiotis, E.; Drigo, A. V.; Ganatsios, S.

doi:10.1063/1.346518

The direct synthesis of silicon oxinitride films by multipulse excimer (λ=308 nm) laser irradiation in a nitrogen‐containing ambient gas is reported featuring characteristics consistent with potential application in microelectronics.

Titolo:	Direct Oxinitride Synthesis By Multipulse Excimer Laser Irradiation Of Silicon Wafer In Nitrogen Containing Ambient Environment
Autori:	V. CRACIUN I. N. MIHAILESCU G.H. ONCIOIU A. LUCHES MARTINO, Maurizio NASSISI, Vincenzo E. RADIOTIS A. V. DRIGO S. GANATSIOS mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Data di pubblicazione:	1990
Rivista:	JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
Abstract:	The direct synthesis of silicon oxinitride films by multipulse excimer (λ=308 nm) laser irradiation in a nitrogen‐containing ambient gas is reported featuring characteristics consistent with potential application in microelectronics.
Handle:	http://hdl.handle.net/11587/108498
Appare nelle tipologie:	Articolo pubblicato su Rivista

File in questo prodotto:

Non ci sono file associati a questo prodotto.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento:
http://hdl.handle.net/11587/108498

Citazioni

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

CINECA IRIS Institutional Research Information System

File in questo prodotto: