Polybithiophene (pbT) thin films were electrochem. deposited for the first time on n-type titanium dioxide (TiO2) prepd. by anodic oxidn. of a Ti sheet.  In addn. ests. of the barrier height of the n-TiO2/p-pbT heterojunction, as well as the pbT work function are given.

Electrochemical and electrical study of the n-type titanium dioxide/polybithiophene (pbT) heterojunction

MALITESTA, Cosimino;
1991-01-01

Abstract

Polybithiophene (pbT) thin films were electrochem. deposited for the first time on n-type titanium dioxide (TiO2) prepd. by anodic oxidn. of a Ti sheet.  In addn. ests. of the barrier height of the n-TiO2/p-pbT heterojunction, as well as the pbT work function are given.
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11587/366616
 Attenzione

Attenzione! I dati visualizzati non sono stati sottoposti a validazione da parte dell'ateneo

Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact