Polarity of GaN Grown on Sapphire by Molecular Beam Epitaxy with Different Buffer Layers

Huang, D.; Visconti, Paolo; Reshchikov, M. A.; King, F. YUN T.; Baski, A.; Litton, C. W.; Jasinski, J.; LILIENTAL WEBER, Z.; Morkoc, H.

doi:10.1002/1521-396X(200112)188:2<571::AID-PSSA571>3.0.CO;2-F

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Polarity of GaN Grown on Sapphire by Molecular Beam Epitaxy with Different Buffer Layers / D.HUANG; P. VISCONTI; M.A.RESHCHIKOV; F.YUN T.KING; A.BASKI; C.W.LITTON; J.JASINSKI; Z. LILIENTAL WEBER; H.MORKOC. - In: PHYSICA STATUS SOLIDI. A, APPLIED RESEARCH. - ISSN 0031-8965. - STAMPA. - 188 (2)(2001), pp. 571-574.

Titolo:	Polarity of GaN Grown on Sapphire by Molecular Beam Epitaxy with Different Buffer Layers
Autori:	D. HUANG VISCONTI, Paolo M. A. RESHCHIKOV F. YUN T. KING A. BASKI C. W. LITTON J. JASINSKI Z. LILIENTAL WEBER H. MORKOC mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Data di pubblicazione:	2001
Rivista:	PHYSICA STATUS SOLIDI. A, APPLIED RESEARCH
Handle:	http://hdl.handle.net/11587/107347
Appare nelle tipologie:	Articolo pubblicato su Rivista

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