CINECA IRIS Institutional Research Information System
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EnglishPolarity of GaN Grown on Sapphire by Molecular Beam Epitaxy with Different Buffer Layers / D.HUANG; P. VISCONTI; M.A.RESHCHIKOV; F.YUN T.KING; A.BASKI; C.W.LITTON; J.JASINSKI; Z. LILIENTAL WEBER; H.MORKOC. - In: PHYSICA STATUS SOLIDI. A, APPLIED RESEARCH. - ISSN 0031-8965. - STAMPA. - 188 (2)(2001), pp. 571-574.
| Titolo: | Polarity of GaN Grown on Sapphire by Molecular Beam Epitaxy with Different Buffer Layers |
| Autori: | |
| Data di pubblicazione: | 2001 |
| Rivista: | |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11587/107347 |
| Appare nelle tipologie: | Articolo pubblicato su Rivista |
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