Radiation Hardness Studies on a Novel CMOS Process for Depleted Monolithic Active Pixel Sensors

Schioppa, E. J.; Bates, R.; Buttar, C.; Dalla, M.; Van Hoorne, J. W.; Kugathasan, T.; Maneuski, D.; Tobon, C. A. M.; Musa, L.; Pernegger, H.; Riedler, P.; Riegel, C.; Sbarra, C.; Schaefer, D. M.; Sharma, A.; Snoeys, W.; Sanchez, C. S.

doi:10.1109/RADECS.2017.8696182

Monolithic CMOS sensors are being proposed for the upgrade of the ATLAS inner tracker. Sensors fabricated in a new TowerJazz 180nm process, feature full depletion of the sensitive layer and radiation tolerance up to 1015neq/cm2.

Titolo:	Radiation Hardness Studies on a Novel CMOS Process for Depleted Monolithic Active Pixel Sensors
Autori:	SCHIOPPA, Enrico junior Bates R. Buttar C. Dalla M. Van Hoorne J. W. Kugathasan T. Maneuski D. Tobon C. A. M. Musa L. Pernegger H. Riedler P. Riegel C. Sbarra C. Schaefer D. M. Sharma A. Snoeys W. Sanchez C. S. mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Data di pubblicazione:	2017
Abstract:	Monolithic CMOS sensors are being proposed for the upgrade of the ATLAS inner tracker. Sensors fabricated in a new TowerJazz 180nm process, feature full depletion of the sensitive layer and radiation tolerance up to 1015neq/cm2.
Handle:	http://hdl.handle.net/11587/439320
ISBN:	978-1-5386-1261-3
Appare nelle tipologie:	Relazione di atto di convegno in volume

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