Coordinamento di tre Unità di ricerca: I Politecnico di Milano; II Università degli studi di Lecce (capofila); III Università degli studi di Napoli "Federico II". Il presente progetto propone di studiare un nuovo tipo di rivelatore a semiconduttore (CdTe) sensibile alla posizione ad elevate prestazioni spettroscopiche per raggi X e gamma per applicazioni astrofisiche. L’innovativita’ della proposta consiste nella struttura del sensore di CdTe a giunzione omoepitassiale e nella realizzazione di una elettronica ad elevato grado di integrazione, minimo rumore e bassa dissipazione di potenza adatta a questo tipo di rivelatori. In particolare il programma propone di studiare la deposizione mediante precursori metallo-organici di due film omoepitassiali drogati rispettivamente p ed n su due superfici di un cristallo di CdTe semiisolante; la definizione e caratterizzazione di elettrodi segmentati a partire da essi; la deposizione dei contatti metallici sugli strati drogati; la caratterizzazione morfologica, strutturale ed elettrica dei singoli strati e della struttura; la caratterizzazione spettroscopica e spaziale delle strutture parziali e dei singoli rivelatori di CdTe a contatti epitassiali; lo sviluppo, la realizzazione e l'integrazione di un’elettronica multicanale a minimo rumore e bassa dissipazione di potenza per spettrometri di CdTe sensibili alla posizione. A scopo dimostrativo del funzionamento dei rivelatori completi sara’ poi realizzato e caratterizzato un prototipo di matrice di CdTe a contatti epitassiali per astrofisica spaziale fra 10 e 1000 keV.
PRIN - Sviluppo di rivelatori a CdTe per raggi X e gamma di nuova generazione: rivelatori a contatti epitassiali.
MANCINI, Anna Maria
2004-01-01
Abstract
Coordinamento di tre Unità di ricerca: I Politecnico di Milano; II Università degli studi di Lecce (capofila); III Università degli studi di Napoli "Federico II". Il presente progetto propone di studiare un nuovo tipo di rivelatore a semiconduttore (CdTe) sensibile alla posizione ad elevate prestazioni spettroscopiche per raggi X e gamma per applicazioni astrofisiche. L’innovativita’ della proposta consiste nella struttura del sensore di CdTe a giunzione omoepitassiale e nella realizzazione di una elettronica ad elevato grado di integrazione, minimo rumore e bassa dissipazione di potenza adatta a questo tipo di rivelatori. In particolare il programma propone di studiare la deposizione mediante precursori metallo-organici di due film omoepitassiali drogati rispettivamente p ed n su due superfici di un cristallo di CdTe semiisolante; la definizione e caratterizzazione di elettrodi segmentati a partire da essi; la deposizione dei contatti metallici sugli strati drogati; la caratterizzazione morfologica, strutturale ed elettrica dei singoli strati e della struttura; la caratterizzazione spettroscopica e spaziale delle strutture parziali e dei singoli rivelatori di CdTe a contatti epitassiali; lo sviluppo, la realizzazione e l'integrazione di un’elettronica multicanale a minimo rumore e bassa dissipazione di potenza per spettrometri di CdTe sensibili alla posizione. A scopo dimostrativo del funzionamento dei rivelatori completi sara’ poi realizzato e caratterizzato un prototipo di matrice di CdTe a contatti epitassiali per astrofisica spaziale fra 10 e 1000 keV.I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
