Progetto Bilaterale di Grande Rilevanza Italia-Giappone (finanziato dal Ministero degli Affari Esteri). Scopi del progetto: - il progresso delle conoscenze scientifiche di interesse applicativo, riguardanti (i) l'identificazione e distinzione dei meccanismi di degrado microscopici e nanoscopici, (ii) lo studio della correlazione tra metodologie di crescita e proprietà strutturali ed ottiche di singoli nanowire a base di semiconduttori, (iii) l'ottimizzazione delle proprietà magnetiche in film sottili e nanostrutture per la registrazione magnetica ad altissima densità; - il progresso della ricerca e sviluppo a livello industriale in collaborazione con la Matsushita Electric Industrial Ltd.
Dispositivi ad alta mobilita' elettronica ad eterostruttura (HEMT, High Electron Mobility Transistors) a base di Nitruro di Gallio (GaN)
LOVERGINE, Nicola
2007-01-01
Abstract
Progetto Bilaterale di Grande Rilevanza Italia-Giappone (finanziato dal Ministero degli Affari Esteri). Scopi del progetto: - il progresso delle conoscenze scientifiche di interesse applicativo, riguardanti (i) l'identificazione e distinzione dei meccanismi di degrado microscopici e nanoscopici, (ii) lo studio della correlazione tra metodologie di crescita e proprietà strutturali ed ottiche di singoli nanowire a base di semiconduttori, (iii) l'ottimizzazione delle proprietà magnetiche in film sottili e nanostrutture per la registrazione magnetica ad altissima densità; - il progresso della ricerca e sviluppo a livello industriale in collaborazione con la Matsushita Electric Industrial Ltd.I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
