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Titolo Data di pubblicazione Autore(i) File
Maximum Entropy Principle for Hydrodynamic Transportin Semiconductor Devices 1-gen-1999 M., Trovato; Reggiani, Lino
Maximum Entropy Principle for Nonparabolic Hydrodynamic Transport in Semiconductor Devices 1-gen-1999 M., Trovato; Reggiani, Lino
Microscopic analysis of electron noise in GaAs Schottky barrier diodes 1-gen-1997 T., Gonzalez; D., Pardo; Reggiani, Lino; L., Varani
Microstructural and morphological properties of homoepitaxial (001)ZnTe layers investigated by x-ray diffuse scattering 1-gen-2005 DI LUCCIO, T.; Scalia, G.; Tapfer, L.; Morales, P.; Traversa, M.; Prete, Paola; Lovergine, Nicola
Modifications of yttria fully stabilized zirconia thin films by ion irradiation in the inelastic collision regime 1-gen-2008 Caricato, Anna Paola; Lamperti, A; OSSI P., M; Trautmann, C; Vanzetti, L.
Modulation of charge transport in diamond-based layers 1-gen-2003 Serra, A.; Manno, Daniela Erminia; Siciliano, Tiziana; Micocci, Gioacchino; Tepore, A.; Rossi, M.; Terranova, M. L.; Sessa, V.; Piccirillo, S.; Orlanducci, S.
Modulation of charge transport in metal-containing diamond layers modulation 1-gen-2003 Serra, Antonio; Terranova, M. L.; Sessa, V.; Piccirillo, S.; Rossi, M.; Manno, D.; Micocci, G.; Tepore, A.
“Modulation of charge transport in metal-containing diamond layers modulation” 1-gen-2003 Serra, A.; Terranova, M. L.; Sessa, V.; Piccirillo, S.; Rossi, M.; Manno, D.; Micocci, G.; Tepore, Antonio
Monoclinic Carbon Nitride Phase Coherently Grown on Si(001) Substrates 1-gen-2001 G., Barucca; G., Majni; P., Mengucci; Leggieri, Gilberto; Martino, Maurizio
Monte Carlo calculations of static and dynamic electron transport in nitrides J. Appl. Phys. {bf 98}, 083701-7 (2005). 1-gen-2005 E., Starikov; P., Shiktorov; V., Gruzinskis; Reggiani, Lino; L., Varani; J. C., Vaissiere; AND C., Palermo
Monte Carlo investigation of current voltage and avalanche noise in GaN double-drift impact diodes 1-gen-2005 Reklaitis, A.; Reggiani, Lino
Monte Carlo simulation of the generation of terahertz radiation in GaN' 1-gen-2001 E., Starikov; P., Shiktorov; V., Gruzinskis; Reggiani, Lino; L., Varani; J. C., Vaissiere; Jian H., Zhao
Monte Carlo study of hot-carrier transport in bulk Wurtzite GaN and modeling of a near TeraHertz impact avalanche transit time diode 1-gen-2004 Reklaitis, A.; Reggiani, Lino
Monte Carlo study of shot-noise suppression 1-gen-1997 A., Reklaitis; Reggiani, Lino
N-type negative differential conductance in quasiballistic single-barrier heterostructures 1-gen-2001 Aleshkin, V. Y. A.; Reggiani, Lino; Reklaitis, A.
NANOSCALE COMPOSITIONAL FLUCTUATIONS IN MULTIPLE In-GaAs/GaAs QUANTUM WIRES 1-gen-2000 M., Catalano; A., Taurino; M., Lomascolo; Vasanelli, Lorenzo; M., Degiorgi; A., Passaseo; Rinaldi, Rosaria; Cingolani, Roberto; O., Mauritz; G., Goldoni; F., Rossi; E., Molinari; P., Crozier
Nanoscale compositional fluctuations in multiple InGaAs/GaAs quantum wires 1-gen-2000 M., Catalano; A., Taurino; M., Lomascolo; Vasanelli, Lorenzo; M., DE GIORGI; A., Passaseo; Rinaldi, Rosaria; R., Cingolani; O., Mauritz; G., Goldoni; F., Rossi; E., Molinari
New Carbon Nitride Phase Coherently Grown on Si (111) 1-gen-1999 G., Barucca; G., Majni; P., Mengucci; G., Leggieri; A., Luches; Martino, Maurizio; Perrone, Alessio
New Carbon Nitride Phase Coherently Grown on Si (111). 1-gen-1999 Barucca, G.; Majni, G.; Mengucci, P.; Leggieri, Gilberto; Luches, Armando; Martino, M.; Perrone, Alessio
Nonlinear behaviour of the short-circuit current of a solar cell with minority carrier lifetime dependent on the light intensity 1-gen-1982 V., Augelli; Vasanelli, Lorenzo; Leo, Mario; R. A. LEO AND G., Soliani
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