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Low pressure MOVPE growth of ZnS epilayers by using dimethyldisulphide precursor
2002-01-01 Prete, Paola; Lovergine, Nicola; Traversa, Marzia; L., Tapfer; Mancini, Anna Maria
MOVPE growth and characterisation of ZnTe epilayers on (100)ZnTe:P substrates
2003-01-01 Lovergine, Nicola; Traversa, Marzia; Prete, Paola; K., Yoshino; M., Ozeki; M., Pentimalli; L., Tapfer; Mancini, Anna Maria
Si implantation of SiO2 films by a new ion implantation technique
2007-01-01 L., Velardi; Lorusso, Antonella; Nassisi, Vincenzo; Traversa, Marzia; Prete, Paola; Lovergine, Nicola; A., Rainò
Impiantazione ionica per la realizzazione di nanocristalli di Si in matrice di SiO2
2007-01-01 Lorusso, Antonella; L., Velardi; G., De Pascali; Traversa, Marzia; Prete, Paola; Nassisi, Vincenzo; Lovergine, Nicola
Titolo | Data di pubblicazione | Autore(i) | File |
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Low pressure MOVPE growth of ZnS epilayers by using dimethyldisulphide precursor | 1-gen-2002 | Prete, Paola; Lovergine, Nicola; Traversa, Marzia; L., Tapfer; Mancini, Anna Maria | |
MOVPE growth and characterisation of ZnTe epilayers on (100)ZnTe:P substrates | 1-gen-2003 | Lovergine, Nicola; Traversa, Marzia; Prete, Paola; K., Yoshino; M., Ozeki; M., Pentimalli; L., Tapfer; Mancini, Anna Maria | |
Si implantation of SiO2 films by a new ion implantation technique | 1-gen-2007 | L., Velardi; Lorusso, Antonella; Nassisi, Vincenzo; Traversa, Marzia; Prete, Paola; Lovergine, Nicola; A., Rainò | |
Impiantazione ionica per la realizzazione di nanocristalli di Si in matrice di SiO2 | 1-gen-2007 | Lorusso, Antonella; L., Velardi; G., De Pascali; Traversa, Marzia; Prete, Paola; Nassisi, Vincenzo; Lovergine, Nicola |
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